近日，根據(jù)路透社消息，哈佛大學在當?shù)貢r間7月5日向美國得克薩斯州東區(qū)地方法院提交起訴書，指控三星電子侵犯其技術專利。

據(jù)悉，指控認為三星電子侵犯了由哈佛大學化學系教授Roy G. Gordon發(fā)明，校方受讓的兩項專利，分別為“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”與“氮化鎢的氣相沉積”。

哈佛方面稱，“這種薄膜對于計算機和手機等眾多產(chǎn)品的關鍵部件至關重要”。

根據(jù)指控，此次專利侵權涉及三星兩項產(chǎn)品的生產(chǎn)業(yè)務。

其中，三星在代工驍龍8 Gen1的過程中，未經(jīng)授權使用了哈佛有關氮化鈷薄膜制備相關的技術。

此外，三星在生產(chǎn)LPDDR5X等內(nèi)存時，也未經(jīng)授權使用了哈佛大學鎢層沉積專利中至少一項權利要求的每個要素。

對此，哈佛大學在起訴中要求三星電子停止侵權行為，并支付賠償。

目前，哈佛方面沒有公開賠償金具體數(shù)額，三星電子方面也暫未對此事做出公開回應。